Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
На заседании Росатома в МИСИС обсудили развитие фотонной сенсорики
Физика квантовой материи: от теории к практике17 сентября
В НИТУ МИСИС поздравили 29 молодых кандидатов наук
Герой России Олег Кононенко встретился со студентами НИТУ МИСИС