Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Инженер‑конструктор в машиностроении: путь в современную промышленность
Учёные создали полимерные наночастицы, которые «обманывают» раковые клетки
Александр Зайцев и Павел Логинов
Техногенные отходы становятся стратегическим ресурсом для металлургии